晶圆片切割过程的优化涉及到对许多直接和间接受材料硬度、脆性和厚度等性能影响的变量的精确控制。随着砷化镓、锂钽甚至铜等新型晶圆材料加入标准硅的行列,半导体制造商在维持和提高切割生产率方面面临着新的、更大的挑战。
在ADT,我们不断开发方法来量化和调节切割刀片材料和特性,以改善和提高切割质量、刀片寿命和产量。
硅晶圆和分立器件
描述:
硅是常用的半导体材料,它是一种灰色脆性材料,具有钻石立方体结构。硅晶圆的直径大为12",常见的尺寸为6"和8"。 典型的厚度为:100-650微米。
主要注意事项:
• 切割质量:顶侧和背侧碎片
• 裂痕
• 因ESD问题和清洁不良造成的晶圆污染
切割设备:
7222,全自动切割系统,配备WX3晶圆处理系统,实现更佳的生产量和原子化清洁,或者7900 Duo型双轴自动切割系统,实现双倍生产量
刀片:
• 2"轮毂和环形镍刀片
金刚石磨粒尺寸:
• 2-4至4-8微米
• 厚度:.0008"- .0014"
工艺参数:
• 切割速度:25-75 mm/sec
• 主轴速度:30-50 krpm
• 装载方式:蓝色或UV胶带
• 冷却类型:去离子(DI)水(含和不含添加剂)
• 二氧化碳发泡机:可选
LED砷化镓应用
描述:
砷化镓(GaAs)是一种直接能隙半导体材料,可以发光,因此常用于LED行业。 砷化镓具有高速性能,非常适合于移动电话等射频装置,以及用于雷达和智能武器等军事用途的微波装置。由于含有较高量的砷,因此,具有一定的危险性。
主要注意事项:
• 切割质量:顶侧和背侧碎片
• 材料结晶结构导致裂纹
• GaAs粉尘的毒性
切割设备:
自动(7120系列/7900 Duo)或全自动(7220系列)切割(切割)系统,具有非常高的自动化水平,完善的过程控制能力。
刀片:
•2"镍轮毂刀片
• 金刚石磨粒尺寸:0-2、0.5-2、0.5-3和2-4微米
• 厚度:.0006"- .0014"
工艺参数:
• 切割速度:2-10 mm/sec (一个或两个步骤)
• 主轴速度:30-45 krpm
• 冷却类型:仅使用去离子(DI)水
• 装载方式:UV或蓝色胶带
• 适当的通风和抽吸系统
• 适当处理废水